Эксперименты, описанные в, показали, что с помощью короны в атмосфере кислорода или воздуха можно создать большой поверхностный отрицательный заряд на слоях ZnO в связующем, а в атмосфере азота или гелия получающийся поверхностный заряд очень мал. Отсюда следует, что наличие ионов кислорода играет существенную роль при отрицательной зарядке слоев из окиси цинка. В работе обнаружено, что для отрицательной зарядки потенциал слоев ZnO в связующем с плиолитом постоянен в широком интервале значений потенциалов короны от -7 до -20 кв. Этого можно ожидать, если ток утечки через слой резко возрастает с величиной приложенного поля. Такой тип поведения характерен для аморфного селена. Здесь обнаружено также, что потенциал слоев ZnO в связующем возрастает с увеличением толщины слоя для данного потенциала короны, в то время как для изолирующей пленки, такой, как целлюлозно-ацетатная илимай-лар, поверхностный потенциал не зависит от толщины. Этот эффект объясняется образованием положительного пространственного заряда в объеме слоя окиси цинка в связующем. Влияние толщины на максимальный поверхностный потенциал было обнаружено также в работе. Темновой и световой спады заряженных слоев ZnO в связующем. Характеристики темнового и светового спадов слоев ZnO в связующем могут зависеть от фотопроводящего материала, связующего, применяемых красителей-сенсибилизаторов, времени измельчения и т. д. Темновой спад отрицательного заряда обычно характеризуется довольно быстрым разрядом, возникающим непосредственно после зарядки, за которым следует медленный установившийся спад.