Сопротивление. Согласно результатам работ, удельное сопротивление аморфного селена при комнатной температуре составляет примерно 1012 ом-см. В работе приведена еще большая величина темнового сопротивления. Удельное сопротивление напыленных в вакууме аморфных пленок селена, определяемое из кривых спада потенциала, составляет величину 1015 — 1016 ом-см. Возможно, что на эксперименты, проделанные разными исследователями, влияли металлические контакты, и инжекцией носителей из электродов можно объяснить наиболее низкие значения удельного сопротивления. В разделе об очувствлении ксерографических пластин короной подчеркивалось, что в селене темновой ток резко возрастает при увеличении напряжения (i-shbV). Таким образом, можно ожидать довольно заметного уменьшения сопротивления с увеличением приложенного напряжения. Это качественно подтверждено в работе, где установлено, что темновой ток в аморфных пленках селена увеличивается приблизительно пропорционально шестой степени приложенного напряжения. Подвижность носителей заряда. Из измерений времени диффузии электронов и дырок в тонких напыленных пленках аморфного селена получены значения эффективной подвижности электронов в пределах 4,7- 5,5-Ю-3 см2/в — сек и дырок 0,15 см2/в — сек. В работе показано, что эффективная подвижность носителей в фотопроводниках может быть сильно снижена из-за ловушек. Из измерений температурной зависимости подвижности в аморфном селене найдено, что зависимость электронной подвижности определяется ловушками, расположенными на глубине 0,25 эв ниже дна зоны проводимости; для дырок соответствующая глубина ловушек равна 0,16 эв (выше потолка валентной зоны). Подвижность дырок в кристаллическом селене изменяется в пределах от 0,1 до 10 см2/в-сек. В работе установлено, что подвижность дырок в кристаллическом материале значительно превосходит подвижность электронов. Диэлектрическая проницаемость. Известные из литературы значения диэлектрической проницаемости аморфного селена равны 5,97-6,60. Автор использовал значение 6,3 для диэлектрической проницаемости напыленных пленок селена. Это согласуется со значением, полученным в работе. Диэлектрическая проницаемость несколько уменьшается с частотой (на высоких частотах); так, на частоте 1010 гц было получено значение 5,97.