До разработки селеновых ксерографических пластин аморфный селен как фотопроводник был изучен слабо. Обширными исследованиями в институте имени Баттела установлено, что аморфный селен является важным для ксерографии фотопроводником, хотя в работе высказана мысль о противоположном. В работе проведены широкие исследования фотопроводимости аморфного селена в связи с его применениями в телевизионных трубках. Образцы были приготовлены испарением селена на покрытое проводящим слоем стекло. Толщина пленок селена менялась от значения меньше 0,1 до 10 мк, Образцы использовались в качестве мишеней в трубке типа видикон, а фотопроводимость наблюдалась при сканировании слоя селена электронным лучом. В этих экспериментах одним электродом служил проводящий слой на стекле, а другим — электронный луч. Падение напряжения на слое равнялось 25-50 в, а внутреннее поле -5 -10 в/см. Было найдено, что преимущественно осуществляется дырочная проводимость. Сдвиг дырок в поле напряженностью 5-104 в/см равнялся 10-3 см, а электронов — Ю-4 см. Аналогичные результаты приведены в работе. Постоянная времени подъема или спада фототока оказалась меньше 50 мксек. Для чистого материала квантовый выход, близкий к единице, измерен в условиях освещения светом, сильно поглощаемым вблизи одного из электродов. По фототоку были обнаружены «усталостные» эффекты, указывающие на наличие токов, ограниченных пространственным зарядом. Увеличение фототока с температурой указывает на наличие ловушек. Мосс измерил спектральную чувствительность слоев аморфного селена толщиной -10 мк в интервале 380-900 ммк. Его результаты вместе с данными других исследователей для аморфной и кристаллической модификаций показаны на рис. 115. Он наблюдал пик на кривой фотопроводимости вблизи 440 ммк, который близок к положению пика, обнаруженного Веймером и Коупом. Мосс обнаружил также полосу слабой чувствительности при 700 ммк. Об отрицательной фотопроводимости и явлениях гашения в аморфном селене сообщалось в работе. Оба явления имеют место только в довольно узком спектральном интервале вблизи 600 ммк и объясняются переходами с уровней очувствляющих центров, расположенных на 0,58-0,65 эв над валентной зоной. Введение примесей и изменение методов приготовления образцов могут довольно заметно влиять на перенос заряда в аморфном селене. Поэтому следует ожидать, что фотопроводимость, наблюдаемая разными авторами на образцах различной степени чистоты и приготовленных в различных условиях, будет иметь значения, изменяющиеся в довольно широком интервале.