Процесс состоит из следующих стадий: 1. Прозрачную диэлектрическую пленку с прозрачной проводящей основой помещают поверх ксерографической пластины так, чтобы диэлектрическая поверхность была в контакте с поверхностью пластины. 2. Между прозрачной проводящей основой диэлектрика и проводящей основой пластины поддерлливают напряжение в несколько тысяч вольт. Одновременно на поверхность пластины проецируется оптическое изображение. 3. После короткого экспонирования и включения электрического напряжения свет выключают. Затем, не снижая электрического напряжения, диэлектрическую пленку отделяют от фотопроводящей поверхности. Образованное таким путем на диэлектрической пленке изображение состоит из нейтральных участков, соответствующих неосвещенным местам, и зарядов на освещавшихся участках поверхности. Понятно, что в зависимости от полярности прикладываемого напряжения получаемые на диэлектрической пленке заряды могут быть как положительными, так и отрицательными. Если в качестве подложки применяют прозрачный проводник, например стекло с проводящим покрытием, то оптическое изображение проецируют непосредственно через эту подложку. В описываемом способе фотопроводящий материал не обязательно должен быть хорошим изолятором в темноте, поэтому можно использовать некоторые более высокочувствительные, но менее высокоумные фотопроводники.