Другой подход к созданию электростатических изображений на диэлектрических пленках описан в работе. Этот способ в принципе отличается от описанных выше способов тем, что он не является в строгом смысле процессом переноса заряда. Изображение репродуцируется здесь в виде системы зарядов на наружной поверхности диэлектрической пленки. 1. Сначала на ксерографической пластине образуют положительно заряженное электростатическое изображение. 2. Затем диэлектрическую пленку приводят в тесный контакт с поверхностью пластины. 3. После этого коронным зарядником сообщают положительный заряд внешней стороне диэлектрической пленки. 4. После этого диэлектрическую пленку отделяют от ксерографической пластины. Образованное на диэлектрической пленке изображение будет состоять из участков с обедненным зарядом, окруженных равномерным фоном положительных зарядов. Это объясняется следующим образом: электростатическое изображение на фотопроводящей поверхности создает на верхней стороне диэлектрика положительный потенциал, меньший по величине, чем потенциал изображения на фотопроводящей поверхности. Если «скоротрон» отрегулирован таким образом, что он сообщает всем участкам поверхности диэлектрика одинаковый потенциал, то над изображением будет осаждаться меньший заряд. Достоинством зарядки с использованием «скоротрона» является то, что он позволяет получить на всех участках поверхности одинаковый потенциал, а не однородную плотность заряда. Величину этого потенциала можно регулировать, изменяя напряжение смещения экранирующей сетки. Таким образом, после отделения диэлектрической пленки от поверхности пластины изображение будет состоять из отрицательно заряженных участков на нейтральном фоне.