Коронный ток между проволокой и поверхностью зависит от плотности ионов и их подвижности, а также от разности потенциалов и расстояния между проволокой и поверхностью. В общем случае плотность ионов пропорциональна разности потенциалов V. — V0. Для любой конфигурации проволок, расположенных на малом расстоянии от плоской поверхности, коронный ток можно представить следующим выражением: тт Располагая заземленный экран над проволокой, можно увеличить плотность ионов. Так как на экране не создается заряд, то напряжение между экраном и проволокой остается постоянным и плотность ионов, образующихся вокруг проволоки, также постоянна. Однако, поскольку на пластине заряд накапливается, большая часть ионов направляется к экрану. Так как на поверхности диэлектрика накапливается заряд, потенциал пластины увеличивается, а ток уменьшается. Когда ток становится равным нулю, процесс зарядки прекращается и потенциал пластины достигает своего максимального значения. Если пренебречь током в фотопроводящем диэлектрике, то скорость зарядки будет равна току, текущему к пластине, т. е. Когда темновой ток в диэлектрике пренебрежимо мал, представляет собой зарядный ток. Однако известно, что темновой ток в пленке фотопроводящего изолятора может влиять на скорость зарядки коронным разрядом и на максимальный заряд, который может быть удержан этой пленкой. Кроме того, темновой ток не пропорционален напряжению на пленке и обычно увеличивается очень быстро, когда заряд, находящийся на пленке, образует внутри нее сильное поле. Некоторые примеры соотношения между токами и электрическими полями в изолирующих пленках можно найти в работе. Так как на диэлектрической пленке накапливаются заряды, то ток, текущий к пленке, уменьшается, а ток утечки через пленку возрастает. Когда эти два тока становятся равными, потенциал пленки достигает максимального значения. При этом заряд стекает с той же скоростью, с какой ионы подходят к поверхности. Для иллюстрации этого эффекта с помощью выражения вычислена зависимость тока к пластине от потенциала пластины для двух напряжений короны. Там же представлены зависимости темновых токов в пленке аморфного селена толщиной 20 мк как функции отрицательного (а) и положительного (б) потенциалов поверхности. Довольно резкое увеличение темнового тока в этих пленках наблюдается при поверхностных потенциалах выше 300 в (отрицательный) и 400 в (положительный). ?