Эффективная электропроводность слоя фотопроводящего изолятора не остается постоянной в процессе спада заряда. Она зависит от электрического поля, образованного внутри слоя поверхностным зарядом, и от времени разряда. Это справедливо как для медленного разряда в темноте, так и для фотоиндуцированного разряда под действием освещения. С помощью выражения и точного графика зависимости поверхностного потенциала от времени можно определить фотопроводимость и темновую проводимость слоя в процессе спада заряда. Аналогично из кривых, соответствующих, определяются значения фототока и темнового тока. Эти данные вычислены путем дифференцирования кривых спада потенциала, полученных с помощью электрометра и самописца. Фототок в процессе разряда ксерографического светочувствительного слоя может быть также зарегистрирован с помощью дифференциального электрометра. Эти данные были получены на ксерографической пластине из аморфного селена, представляющей собой слой толщиной 50 мк, нанесенный на алюминиевую подложку испарением в вакууме. Фотоиндуцированный разряд сначала происходит быстро, затем замедляется и длится до тех пор, пока скорость разряда не становится сравнимой со скоростью темнового спада. Поверхностный потенциал, соответствующий малой скорости спада, обычно называют остаточным потенциалом. В приведенном случае остаточный потенциал составляет примерно 85 в. При освещении поверхности селена фототок сначала очень быстро растет, достигая максимального значения, а затем медленно уменьшается почти до нуля. Фотопроводимость также резко возрастает до максимального значения, а затем уменьшается в процессе освещения поверхности селена. Необходимо заметить, что начальная скорость спада заряда непосредственно после зарядки довольно большая, но с течением времени она уменьшается. Аналогичные характеристики получаются, например, для слоев из окиси цинка в связующем. Однако формы кривых спада потенциала вообще различны для разных материалов.