Фотопроводящие изолирующие пленки окиси цинка, диспергированной в смоляном связующем, исследованы довольно широко. Однако при этом использовались различные по качеству окиси цинка и разные сорта смол. Поэтому методы приготовления и даже техника измерения заметно отличались у разных исследователей и, следовательно, невозможно сделать разумного сравнения доступных данных. Можно только оценить некоторые конкретные величины для ксерографических покрытий из ZnO в связующем. Свойства ZnO. Окись цинка представляет собой полупроводник типа, причем проводимость и-типа приписывается наличию нестехиометрического избытка цинка. Электрические свойства сильно зависят от избытка Zn в объеме материала, а на поверхности — от адсорбированного кислорода. Величина электропроводности кристаллов обычно лежит в интервале 10-2-1 мо/см. Увеличение избытка Zn повышает темновую проводимость, а поглощение кислорода на поверхности уменьшает ее. В порошкообразном виде у окиси цинка темновая проводимость много ниже, очевидно, из-за большой площади поверхности, доступной для поглощения кислорода. В очень тонких слоях (0,1 мк) установлено, что темновая проводимость зависит от степени окисления. При полном окислении она может быть чрезвычайно малой. В работе сообщается, что стехиометрическая окись цинка является изолятором. Образцы были приготовлены путем окисления цинка, нанесенного на кварцевые пластины. Кривая поглощения обрывается при значении энергии -3,1 эв. Это совпадает с величиной, найденной в, для чистых монокристаллов. С уменьшением длины волны коэффициент поглощения сначала быстро увеличивается, достигая максимума при 370 ммк, а затем постепенно уменьшается. Фототок достигает максимума примерно при той же длине волны, что и максимум поглощения. Увеличение избытка Zn при нагревании кристаллов ZnO в парах Zn при высокой температуре приводит к появлению полосы поглощения при 3,2 эв и сдвигу в длинноволновую область. Можно ожидать, что дополнительный избыток цинка будет сдвигать фоточувствительность в длинноволновую область. Фотопроводимость в окиси цинка определяется, по-видимому, одновременным действием двух независимых механизмов.