Представленные здесь расчетные и экспериментальные данные позволяют оценить степень приближения теории к эксперименту. Вычерчены графики зависимости перенесенного заряда от приложенного напряжения. В некоторых случаях показан также заряд, оставшийся на первоначально заряженном участке диэлектрического или фотопроводящего слоя. Расчетные величины перенесенного заряда получены из данных об отношении толщины пленки к ее диэлектрической проницаемости. Так как пленка майлара обладает очень высоким удельным сопротивлением (-1019 ом-см), то при вычислении количества перенесенного заряда этот материал можно рассматривать как идеальный изолятор. Что же касается аморфного селена, то при наложении сильного поля его проводимость заметно возрастает. Известно, что обычные ксерографические пластины с аморфным селеном выдерживают значительно более сильное поле в том случае, когда их поверхность заряжена положительно. Следует отметить, что при значениях отрицательного поверхностного потенциала, близких к 2-105 в/см, происходит резкое увеличение проводимости. Когда отрицательный поверхностный потенциал достигает величины -400 в по отношению к подложке, проводимость становится такой большой, что слой аморфного селена в данном эксперименте по переносу зарядов приходится считать проводником. В случае положительного поверхностного потенциала проводимость возрастает заметно при 3-Ю5 в/см, однако возрастание происходит не так быстро, как в случае отрицательного поверхностного потенциала. Следовательно, можно предположить, что в случае положительного поверхностного потенциала утечка, которая позволяет слой селена считать проводником, возникает при значительно более сильных полях. Из практики известно, что для описываемых пластин с аморфным селеном предельный отрицательный потенциал обычно не превышает -400 в; в случае же положительной зарядки эти пластины можно легко зарядить до 600-700 в. Этими свойствами аморфного селена и объясняются отклонения экспериментальных величин от расчетных, наблюдающиеся при переносе зарядов.