В этом эксперименте направление приложенного поля было подобрано так, что на верхнюю диэлектрическую пленку направлялся положительный заряд, а на нижнюю — отрицательный. При этом следует ожидать, что на незаряженном участке перенос отрицательного заряда на нижнюю диэлектрическую пленку, по существу, будет зеркальным изображением переноса положительного заряда на верхний диэлектрик. Отрицательные заряды, переносимые на нижнюю диэлектрическую пленку, сначала будут нейтрализовать имеющиеся на этой пленке положительные заряды до тех пор, пока начальный заряд нижней диэлектрической пленки не будет полностью нейтрализован, а затем будут накапливаться на ней, образуя остаточный отрицательный заряд. Так как при расчете принималось, что оба слоя являются идеальными изоляторами, то в результате утечки в селеновом слое, наблюдающейся при сильных полях, экспериментальные данные значительно отличаются от расчетных. Для незаряженного участка экспериментальные значения заряда, переносимого на пленку майлара, больше расчетных, причем разница между ними возрастает при повышении приложенного напряжения. В данном случае наклон расчетной кривой равен 0,585, тогда как наклон экспериментальной кривой в области высоких напряжений приближается к 1,0, т. е. к такому значению, которое можно было бы получить расчетным путем, если заменить слой селена хорошим проводником. На заряженном участке отклонение не так велико, и наклон экспериментальной кривой достигает значения 1,0 только при напряжении -1600 в. Это объясняется тем, что положительный заряд на поверхности селена создает поле, обратное полю, создаваемому прилоладнным напряжением. Следует отметить также, что на незаряженном участке сохранялась очень незначительная часть отрицательного заряда, перенесенного на селеновый слой. Начальный заряд поверхности селена был отрицательным, и потенциал на заряженном участке равнялся 200 в. При этом также наблюдалось заметное расхождение экспериментальных и расчетных данных, однако наклон экспериментальных кривых в области сильных полей был ненамного больше наклона расчетных кривых. Это объясняется тем, что здесь направление поля, создаваемого приложенным напряжением, соответствует направлению поля при положительном потенциале поверхности селена, а утечка через слой селена в этом направлении слабее, чем в рассмотренном выше случае. Нижние участки кривой, описывающей процесс переноса на заряженном участке, где электрическое поле в селеновом слое мало, довольно близко подходят к расчетной кривой. Однако наклоны этих кривых почти одинаковы, что свидетельствует о меньшей утечке в селеновом слое. При толщине пленки майлара 0,025 мм поле в слое селена, создаваемое приложенным напряжением, будет, конечно, слабее поля, создаваемого тем же напряжением при толщине пленки 0,013 мм — Поэтому и утечка через слой селена будет слабее.