Сообщались также некоторые данные о влиянии скорости испарения на электрические свойства аморфных пленок селена. Наблюдались незначительные изменения, когда время напыления увеличивалось от 2 до 30 мин. Скорость темнового спада и спектральная чувствительность оказались, по существу, без изменений. Однако наблюдается заметный, но небольшой минимум остаточного потенциала для времени напыления около 15 мин. Когда время напыления увеличивается до 90 мин, пленка селена кристаллизуется. В основном результаты не указывают на специфическое влияние скорости испарения на процесс напыления аморфных пленок селена. Обнаруженные эффекты могут объясняться как увеличением времени тепловой обработки, так и продолжительностью времени напыления. В работе найдено, что аморфные слои получаются при скорости напыления 1 мк/мин и выше при температурах подложки ниже 50° С. При высоких температурах и малых скоростях напыления в селеновых слоях начинается кристаллизация. В работе, однако, показано, что скорость напыления важна при ослаблении дефектов изображения, особенно для пластин, используемых в полутоновой фотографии. Установлено также, что скорость напыления должна быть -0,3 мк/мин. Прогрев селеновых слоев после напыления в вакууме приводит к возникновению кристаллитов внутри аморфного слоя. При температурах ниже — 50° С кристаллическая фаза растет очень медленно, но по мере повышения температуры кристаллизация может происходить довольно быстро. Согласно результатам работы, скорость кристаллического роста может быть выражена уравнением Больцмана