Автор и Р. Мелин установили, что можно достичь прямого переноса поверхностных зарядов с одной поверхности на другую, если обеспечить хороший контакт между ними. Для получения такого контакта необходимо устранить воздушный зазор, что обычно достигают увеличением давления. Процесс состоит из следующих стадий: 1. Поверхности фотопроводящего изолятора, такого, как аморфный селен, сообщают однородный заряд. 2. Давление, лист прозрачного диэлектрика с прозрачной проводящей основой приводят в контакт с фотопроводящим материалом. 3. Затем проводящие основы двух слоев электрически соединяют друг с другом и на фотопроводник проецируют изображение через прозрачный диэлектрик. 4. По окончании экспонирования лист диэлектрика удаляют. После разделения поверхностей на каждой из них будет присутствовать электростатическое изображение, причем эти изображения зеркальны одно по отношению к другому. Поверхностные заряды будут разделены таким образом, что напряжения на листе диэлектрика и на фотопроводящем слое сохраняются равными. Фактически поверхностный заряд до приведения поверхностей в контакт может быть нанесен либо на диэлектрическую поверхность, либо на поверхность фотопроводника, либо на обе поверхности одновременно. Если фотопроводящий слой нанесен на прозрачную проводящую подложку, то этим способом можно образовать электростатическое изображение на непрозрачном диэлектрическом материале. В этом случае экспозиция должна осуществляться через прозрачную подложку. В другом варианте заряженный фотопроводящий слой можно экспонировать до того, как поверхности приведены в контакт. В этом случае заряд сообщают только фотопроводящей поверхности. Этот способ позволяет сохранить очень высокое разрешение электростатического изображения, так как перенос изображения осуществляется при хорошем контакте поверхностей и деформация элементов изображения сводится к минимуму.