В работе рассмотрена общая модель разряда или светового спада с учетом выражения Гехта для фототока в изолирующих кристаллах. Эта теория основывается на предположении, что средний сдвиг свободных носителей (электронов или дырок) в слое изолятора пропорционален электрическому полю, т. е. В соотношении учитывается уменьшение свободных носителей только за счет попадания их в ловушки при дрейфе в слое, а рекомбинация носителей, особенно в случае сильного поглощения света, не принимается во внимание. Это эквивалентно предположению, что рекомбинация или вообще не происходит в области поглощения света, или ее скорость постоянна и не зависит от напряженности поля. Такое предположение приводит в соответствии с выражением к насыщению тока разрядки при высоких поверхностных потенциалах. В действительности же, если представить графически разрядный ток как функцию поверхностного потенциала при освещении заряженного слоя аморфного селена, то кривая с насыщением не получается. Верхняя сплошная приведена к величине тока, измеряемого в селеновых ксерографических пластинках с потенциалом 500 в, а нижняя сплошная кривая приведена к значению тока, соответствующего кривой а с потенциалом 312,5 в. Нижняя сплошная кривая приблизительно совпадает с кривой а при потенциале ниже 300 в. Расхождение между этими кривыми при высоких потенциалах может быть связано с рекомбинацией, которая, по-видимому, увеличивается по мере уменьшения начального поверхностного потенциала. Однако эта методика не эквивалентна разряду ксерографических пластин при освещении. Рассмотренная выше теория не описывает этого явления. По-видимому, теория может дать лучшее согласие с экспериментом лишь в том случае, когда свет проникает в объем фотопроводящего слоя. При этом рекомбинация может быть учтена в рамках соотношения (64) как часть общего эффекта. Остаточный потенциал может появиться лишь в том случае, когда время жизни носителей в ловушках будет больше, чем время релаксации при разрядке слоя.