В работе сообщается о проверке закона взаимозаместимости для ксерографической пластины из аморфного селена. Пластина освещалась импульсами света от вольфрамовой лампы мощностью 300 вт с нейтральными светофильтрами для изменения интенсивности и измерялось время полуспада начального поверхностного заряда. В промежуточной области кривая почти плоская. Эти результаты несколько отличаются от результатов, сообщенных Фридкиным и Барулиным, которые получили кривые, имеющие плоский участок при малых интенсивностях. Однако при больших интенсивностях они обнаружили также значительное отклонение от взаимозаместимости. Селеновые слои освещались лампой накаливания (2800° С) с нейтральными светофильтрами для изменения интенсивности. Слои заряжались положительно. Данные по взаимозаместимости были получены из кривых спада заряда. Квантовый выход. В ксерографии эффективность падающих фотонов в процессе освещения может быть измерена по рассасыванию заряда. В работе сообщается о полном квантовом выходе, равном 93%, для тонких слоев аморфного селена, находящихся в сильном поле и освещенных светом с длиной волны 400 ммк через подложку из стекла с проводящим покрытием. Полагая потери на отражение за счет подложки равными 5 %, для квантового выхода получаем приблизительно 100% . Это совпадает с наблюдениями по измерениям фотопроводимости. Согласно выводам, сделанным в работе, сильное поле сводит к минимуму влияние ловушек и эффекта рекомбинации, позволяя фотовозбужденным носителям проходить, по существу, всю толщину селенового слоя. Используя данные работы, автор рассчитал квантовые выходы для величины рассасывания заряда и нашел, что они лежат в пределах 90-100% для начальных скоростей разряда при высоких начальных напряжениях. Даже для разряда до половины начального потенциала вычисленные из этих данных квантовые выходы равнялись 60-100%. Подобные же значения были получены в экспериментах на слоях аморфного селена в лаборатории фирмы «Ай-Би-Эм». Эти измерения были сделаны на пленках толщиной 5Q мк, освещавшихся монохроматическим светом с длиной волны, равной 436 ммк. Эти значения гораздо выше значений, полученных в работе, где квантовый выход для нейтрализации заряда равен -25% при длине волны падающего света 400 ммк. Разница может возникнуть из-за выбора величины конечного потенциала, используемой в вычислениях.