Предполагается, что при очень малом зазоре и достаточно высоком приложенном напряжении возможен перенос зарядов за счет автоэлектронной эмиссии. В этом случае критические условия для процесса переноса зарядов определяются крутой наклонной частью кривой Пашена, расположенной слева от горизонтального участка. При высоких значениях величины Va + Ус кривые, вычисленные по уравнению, располагаются обычно выше этого крутого участка, определяющего критическое поле для данной области. В области малых величин зазора кривые не пересекаются с кривой Пашена. Если к находящимся в контакте поверхностям приложить высокое напряжение, то перенос зарядов может произойти при очень малой величине зазора, так как кривые зависимости напряжения в зазоре от величины зазора лежат выше критического поля для этой области. Между двумя гладкими поверхностями, находящимися в контакте, всегда имеется очень тонкая воздушная прослойка, средняя толщина которой может колебаться от долей микрона до нескольких микронов в зависимости от качества поверхностей и величины приложенного давления. Так, при виртуальном контакте отшлифованных и отполированных поверхностей зазор между ними составляет -1 лж; поверхности с оптической полировкой дают зазоры около 0,25 мк. Величину зазоров в этом диапазоне нельзя вычислить обычным способом, исходя из значений других параметров. Как видно из выражения (140), при Z>»zc и малых зазорах величина перенесенного заряда почти не зависит от величины зазора.