Еще большая разница отмечена для селеновых пластин, напыленных на подложки при разных температурах. Кривые темнового спада для трех пластин, приготовленных при различных температурах подложки. Кривые А ж А соответствуют температуре пластины 75° С. Эта пластина имеет медленный темновой спад положительного заряда, но темновой спад отрицательного заряда был таким быстрым, что удержался очень малый заряд после короткого времени между зарядкой и измерением электрометром. Кривые В ж В соответствуют температуре подложки 50-60° С. В этом случае отрицательный потенциал слоя селена не превышает 300 в. Кривые С и С соответствуют положительной и отрицательной зарядке селеновой пластины, приготовленной без контроля температуры подложки. В начале процесса испарения температура была равна 25° С, а в конце процесса 50° С. В этом случае имеет место небольшая разница в скоростях темнового спада положительного и отрицательного зарядов. Они выбраны главным образом для того, чтобы показать большой разброс характеристик темнового спада, которые наблюдались для пластин аморфного селена, приготовленных в различных условиях. Поверхностная кристаллизация, даже очень слабая, будет увеличивать скорость темнового спада слоев аморфного селена. Такая кристаллизация может происходить из-за продолжительного контакта с используемым для очистки растворителем или при длительном воздействии ультрафиолетового света. В работе найдено, что скорость темнового спада очень мало зависит от изменений окружающей температуры и относительной влажности.